В книге обозначены и насколько возможно полно раскрыты современные тенденции и подходы в разработке СВЧ плазмохимического оборудования и нанотехнологий на его основе. Излагаются математическая теория диффузионных процессов и основы теории плазмы газового разряда в магнитном поле, описаны применяемые методы решения стохастических дифференциальных уравнений и уравнений Фоккера-Планка-Колмогорова. Даны обобщение и системное изложение опыта и результатов по разработке физико-технических основ новых типов микроволновых плазменных устройств. Приведены результаты практического использования разработанных микроволновых источников плазмы.
Материалы книги могут быть задействованы в учебном процессе в качестве спецкурсов или спецсеминаров для студентов ВУЗов соответствующего профиля.
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СОЗДАНИЯ СВЧ ПЛАЗМЕННЫХ УСТРОЙСТВ С ЭЛЕКТРОННЫМ ЦИКЛОТРОННЫМ РЕЗОНАНСОМ
§1.1. Распространение СВЧ-колебаний в плазменных полноводных устройствах
Особенностью СВЧ-устройств плазменной обработки является то, что длина волны применяемых сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний соизмерима с их геометрическими размерами или меньше них. Это определяет качественное различие и новизну по сравнению с существующими высокочастотными плазменными устройствами на частоте 13,56 МГц в конструировании СВЧ разрядных устройств, подведении и эффективном использовании СВЧ-энергии, способах согласования элементов СВЧ-тракта как в отсутствие газового разряда, так и при его наличии.
Для передачи СВЧ-мощности, требуемой для реализации плазменных технологических процессов, наиболее пригодны волноводы прямоугольного или круглого поперечного сечения. Они просты, прочны, не имеют потерь на излучение в окружающую среду. Вывод энергии от СВЧ-генератора (клистрона, магнетрона и т.п.) обычно выполняется в виде коаксиальной линии или волноводов прямоугольного поперечного сечения. Однако при плазменной обработке круглых пластин лучшую азимутальную равномерность обеспечивают волноводные реакторы с круглым поперечным сечением. Поэтому на практике передающий энергию СВЧ-тракт плазменного устройства, как правило, содержит волноводы различного поперечного сечения. Волны, существующие в таких волноводах, делятся на типы Е(ТН) и H(ТЕ) [8, 9]. Простейшим типом электромагнитной волны является плоская поперечная
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Физико-технические основы создания СВЧ плазменных устройств с электронным циклотронным резонансом
§ 1.1. Распространение СВЧ-колебаний в плазменных волноводных устройствах
§ 1.2. Согласование элементов волноводного тракта
§ 1.3. Одномодовые СВЧ плазменные устройства
§ 1.4. Передача СВЧ-энергии и пробой в круглом волноводе-реакторе
§ 1.5. Многомодовые СВЧ плазменные устройства
1.5.1. Выбор типа электромагнитных волн (29)
1.5.2. Основные типы многомодовых СВЧ плазменных устройств (34)
Глава 2. Взаимодействие электромагнитных волн с плазмой во внешнем магнитном поле
§2.1. Общие сведения о свойствах низкотемпературной плазмы
2.1.1. Плотность, температура и функция распределения (41)
2.1.2. Оболочки и электрические поля (43)
2.1.3. Столкновения частиц в плазме (44)
2.1.4. Плазменная частота (44)
2.1.5. Влияние магнитного поля (45)
2.1.6. Давление плазмы (45)
2.1.7. Ионизация (46)
§2.2. Поглощение электромагнитных волн при ЭЦР
§2.3. Бесстолкновительное поглощение СВЧ-мощности во внешнем магнитном поле
§2.4. Распространение электромагнитных волн в волноводах с продольно намагниченной плазмой
2.4.1. Однородное магнитное поле (60)
2.4.2. Неоднородное магнитное поле (62)
§2.5. Удержание плазмы в магнитном поле
Глава 3. Диффузионная модель СВЧ газового разряда и ее применение в технологических процессах
§3.1. Равномерность обработки в одномодовых СВЧ-источниках плазмы
§3.2. Влияние геометрии реактора и источника ионизации на параметры плазменной обработки
§3.3. Равномерность и производительность СВЧ плазменной обработки в убывающем магнитном поле
§3.4. Диффузия электронов в цилиндрическом плазмотроне с внешним магнитным полем
§3.5. Диффузионная модель газового СВЧ-разряда в магнитном поле с ненулевыми граничными условиями
Глава 4. Характеристики (ВЧ-плазмы в магнитном поле
§4.1. Методика исследования электронной компоненты СВЧ-плазмы в магнитном поле
§4.2. Зависимость параметров плазмы от режима генерации
§4.3. Электрические поля в СВЧ-разряде с внешним магнитным полем
§4.4. Эмиссионные характеристики плазмы СВЧ газового разряда
§4.5. Управление параметрами СВЧ ионно-плазменного источника
Глава 5. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление
§5.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
5.1.1. Универсальность и анизотропность ионно-лучевого травления (121)
5.1.2. Селективность и анизотропность реактивного ионно-лучевого травления (123)
5.1.3. Универсальность ионно-плазменного травления (125)
5.1.4. Селективность и производительность реактивного ионно-плазменного травления (125)
5.1.5. Селективность и «мягкость» плазменного травления (125)
5.1.6. «Мягкость» и изотропность радикального травления (125)
5.1.7. Производительность и анизотропность ионно-стимулированного газового травления (126)
§5.2. Низкоэнергетичное травление соединений АЗВ5 в хлорсодержащем газовом СВЧ-разряде
§5.3. Сверхвысокочастотное ВПТ металлических пленок
§5.4. Плазмостойкость резистов при СВЧ ВПТ
Глава 6. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление кремниевых материалов
§6.1. Скорость и селективность СВЧ-травления
§6.2. Качество СВЧ-травления
§6.3. С верх высокочастотное травление кремниевых пластин различных кристаллографических ориентации
§6.4. Механизм и анизотропность высоковакуумного СВЧ-травления
§6.5. Влияние структуры поверхности на качество травления
Глава 7. Плазмохимическнй СВЧ-синтез низкоразмерных гетероструктур на основе кремния и его соединений
§7.1. Современные технологии формирования спонтанно упорядоченных наноструктур и нанокомпозитов
7.1.1. Упорядоченные массивы трехмерных когерентно напряженных островков (163)
7.1.2. Эффекты упорядочения (165)
§7.2. Размеры и плотность островков: возможности управления
7.2.1. Формирование массивов вертикально связанных квантовых точек (166)
§7.3. Самоорганизация кремниевых нанокристаллитов в СВЧ-плазме
§ 7.4. Синтез аморфного гидрогенизированного кремния и его соединений
§7.5. Конформные пленочные покрытия диоксида кремния
Глава 8. Плазмохимическнй СВЧ-синтез низкоразмерных углеродных структур различных аллотропных модификаций
§8.1. Самоорганизация наноалмазных кристаллитов
§8.2. Синтез наноалмазных композиционных материалов
§8.3. Интеграция технологических процессов на основе плазмы СВЧ газового разряда в магнитном поле
Список литературы
Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий, Яфаров Р.К., 2009 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.
Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу
Скачать книгу Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий, Яфаров Р.К., 2009 - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:
Теги: Яфаров :: физика :: учебник по нанотехнологиям
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
- Наноматериалы, Порошки и спеченные композиты, Кульков С.Н., Буякова С.П., 2011
- Дифракционные и микроскопические методы и приборы для анализа наночастиц и наноматериалов, Векилова Г.В., Иванов А.Н., Ягодкин Ю.Д., 2009
- Наноматериалы и нанотехнологии в ветеринарной практике, Борисевич В.Б., Каплуненко В.Г., Косинов Н.В., 2012
- Наноматериалы, нанопокрытия, нанотехнологии, Азаренков Н.А., Береснев В.М., Погребняк А.Д., Маликов Л.В., Турбин П.В., 2009
Предыдущие статьи:
- Основы компьютерного моделирования наносистем, Ибрагимов И.М., Ковшов А.Н., Назаров Ю.Ф., 2010
- Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010
- Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Шелованова Г.Н., 2009
- Наноструктурные материалы в машиностроении, Матренин С.В., Овечкин Б.Б., 2010