Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Шелованова Г.Н., 2009

Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Шелованова Г.Н., 2009.

  Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники». включающего учебную программу дисциплины, лабораторный практикум, пособие по курсовой работе, методические указания по самостоятельной работе, контрольно-измерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Банк тестовых заданий», наглядное пособие «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Презентационные материалы».
В данном издании представлены материалы, отражающие современное состояние микро- и наноэлектроники, а также перспективы развития этих отраслей.
Предназначен для студентов направления подготовки магистров 210100.68 «Электроника и микроэлектроника» укрупненной группы 210000 «Электроника, радиотехника и связь», а также может быть использован всеми интересующимися электроникой и наноэлектроникой.



Микрокластеры и их энергетическое состояние.
В ряде случаев традиционный подход к управлению свойствами полупроводниковых материалов наталкивается на принципиальные ограничения:
• отсутствие в природе примесей с подходящими свойствами;
• низкий предел растворимости атомов многих примесей в кристаллической решетке полупроводника;
• высокая концентрация электрически активных собственных дефектов решетки в легированном материале и др.

В связи с этим в последние годы активно развивается новый подход к управлению свойствами полупроводников, основанный на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров, в состав которых могут входить атомы вводимых примесей, атомы собственных компонентов, а также собственные точечные дефекты кристаллической решетки.

Оглавление
ПРЕДИСЛОВИЕ
ЛЕКЦИЯ 1 РОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ В СОЗДАНИИ УСТРОЙСТВ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
1.1. Поверхность и её свойства
1.2. Поверхностный потенциал
1.3. Поверхностные состояния. Уровни Тамма
1.4. Быстрые и медленные поверхностные состояния
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 2 МИКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫЕ АТОМНЫЕ КЛАСТЕРЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ИХ СВОЙСТВА
2.1. Микрокластеры и их энергетическое состояние
2.2. Методы получения и применения структур с атомными кластерами
2.3. Межфазные границы и их свойства
2.4. Возможность формирования структур с минимальным рассогласованием по параметрам решетки
2.5. Напряженные полупроводниковые структуры, их свойства и применение
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 3 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ВИДОВ ЭПИТАКСИИ
3.1. Достижения молекулярно-лучевой эпитаксии
3.2. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 4 СОЗДАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ МЕТОДАМИ ЛИТОГРАФИИ
4.1. Традиционная фотолитография и ее проблемы
4.2. Электронно-лучевая литография
4.3. Рентгеновская литография
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 5 ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ
5.1. Методы безмасочной технологии
5.2. Электронный и ионный луч как инструмент современной технологии
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 6 КВАНТОВЫЕ ОСНОВЫ НАНОИНЖЕНЕРИИ
6.1. Эффект размерного квантования
6.2. Квантовое ограничение
6.3. Интерференционные эффекты
6.4. Туннелирование
6.5. Устройства на основе квантовых эффектов
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 7 НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СРЕДЫ
7.1. Актуальность использования низкоразмерного кремния в производстве изделий микро- и наноэлектроники
7.2. Формирование низкоразмерного кремния
7.3. Структурные модификации пористого кремния
7.4. Применение низкоразмерного кремния
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 8 ТЕХНОЛОГИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР
8.1. Введение
8.2. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок
8.3. Жидкофазная эпитаксия
8.4. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений
8.5. Молекулярно-лучевая эпитаксия
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 9 КВАНТОВАЯ ИНЖЕНЕРИЯ
9.1. Введение
9.2. Размерное квантование. Квантовые точки
9.3. Изготовление гетероструктур с квантовыми точками
9.4. Методы исследования СКТ
9.5. Лазеры на самоорганизованных квантовых точках
9.6. Сверхрешетки
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 10 МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
10.1. Многослойное осаждение посредством магнетронного распыления
10.2. Электролитическое осаждение
10.3. Поверхностные наноструктуры
10.4. Получение поверхностных структур методом МЛЭ
10.5. Получение поверхностных структур методом газофазной эпитаксии
10.6. Химическая сборка поверхностных наноструктур
10.7. Низкоразмерные структуры на основе пористого кремния
10.8. Углеродные нанотрубки
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 11 ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИРОДА СВЕРХПРОВОДИМОСТИ
11.1. Понятие сверхпроводимости
11.2. Сверхпроводники первого и второго рода
11.3. Теория Бардина - Купера - Шриффера
11.4. Эффект Джозефсона
11.5. Эффект Мейснера
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 12 ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ
12.1. История открытия высокотемпературной сверхпроводимости
12.2. Методы получения ВТСП пленок
12.3. Применение ВТСП материалов
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 13 МИКРОВОЛНЫ И ИХ ПРИРОДА
13.1. Открытие теплового воздействия микроволн
13.2. Физическая природа микроволн
13.3. Микроволновая передача и средства связи
13.4. Сверхвысокочастотная терапия
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 14 ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА МИКРОВОЛНОВЫХ СИСТЕМ
14.1. История создания лазера
14.2. Полупроводниковые лазеры
14.3. Нанолазеры
14.4. Светоизлучающие диоды
14.5. Оптоволоконные кабели
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 15 СИСТЕМЫ СВЯЗИ
15.1. Системы телевизионного вещания
15.2. Спутниковая связь
15.3. Мобильная связь
15.4. Сотовая связь
15.5. Оптоэлектронные системы
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 16 ТЕМПЕРАТУРНАЯ И РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
16.1. Введение
16.2. Температурная стойкость и механизмы теплопередачи
16.3. Способы теплоотвода
16.4. Перспективные жидкие диэлектрики для охлаждения
16.5. Криогенная электроника
16.6. Влияние радиации на параметры электронных устройств
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 17 ПЕРСПЕКТИВЫ КРЕМНИЯ КАК МАТЕРИАЛА ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
17.1. Структуры «кремний-на-изоляторе» и их преимущества
17.2. Технологии изготовления структур КНИ
17.3. Структуры КНС, их преимущества и перспективы применения
17.4. Преимущества и перспективы карбидокремниевой электроники
Вопросы для самопроверки
ЛЕКЦИЯ 18 МАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
18.1. Карбид кремния - материал для экстремальной электроники
18.2. Возможности углерода в решении задач экстремальной электроники
18.3. Структуры и приборы экстремальной электроники
Вопросы для самопроверки
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Шелованова Г.Н., 2009 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать книгу Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Шелованова Г.Н., 2009 - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Шелованова