Технологические комплексы интегрированных процессов производства изделий электроники, Достанко А.П., 2016

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «ЛитРес», и потом ее скачать на сайте Литреса.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.


Технологические комплексы интегрированных процессов производства изделий электроники, Достанко А.П., 2016.

   Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области создания и функционирования современных технологических комплексов интегрированных процессов производства изделий электроники, начиная от очистки поверхности подложек ультразвуком, СВЧ-плазмохимической обработки, магнетронного электронно-лучевого и импульсного лазерного формирования структур и состава слоев, высокочастотного локального нагрева, диффузионной сварки, а также интегрированного контроля микро- и наноструктур.
Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

Технологические комплексы интегрированных процессов производства изделий электроники, Достанко А.П., 2016


Принцип действия и рабочие параметры магнетронных распылительных систем.
Процесс ионного распыления известен в течение ряда лет. и. несмотря на некоторые ограничения, этот метод успешно используется для вакуумного нанесения тонких пленок различных материалов [1. 2]. Тем не менее недостатком процесса ионного распыления являются низкие скорости нанесения, низкая эффективность ионизации в плазме и относительно сильный нагрев подложек. Во многом эти ограничения были преодолены разработкой метода магнетронного распыления.

Метод магнетронного распыления получил быстрое развитие в последние тридесятилетия. когда он установился как один из основных вариантов процесса ионно-плазменного нанесения тонкопленочных слоев различного функционального назначения [3-4]. Примерами являются твердые, износостойкие, низкофрикционные, антикоррозионные, декоративные покрытия и покрытия со специфическими оптическими или электрическими свойствами [5]. Применяемый первоначально для нанесения пленок металлов и сплавов метод впоследствии получил дальнейшее развитие. Были созданы конструкции магнетронов с планарной, конусной и цилиндрической мишенью. Для нанесения компонентных пленок были разработаны методы реактивного, импульсного и ВЧ-магнетронного распыления. Увеличение усилий по разработке магнетронных распылительных систем и процессов магнетронного распыления было обусловлено растущим спросом на функциональные высококачественные покрытия в разнообразных секторах рынка.

СОДЕРЖАНИЕ.
Введение.
Глава 1. Автоматизированные технологические комплексы удаления загрязнений с микропрофильных поверхностей оптико-электронных изделий.
1.1. Методы и устройства удаления загрязнений с микропрофильных поверхностей.
1.2. Ультразвуковые технологические системы для удаления загрязнений.
1.3. Автоматизированные технологические комплексы удаления загрязнений с микрорельефных поверхностей оптико-электронных изделий.
Список литературы к главе 1.
Глава 2. Технологические системы «мягкой» СВЧ-вакуумно-плазменной обработки материалов.
2.1. Конструктивные особенности СВЧ-разрядных систем резонаторного типа.
2.2. Особенности возбуждения и поддержания СВЧ-разряда низкого вакуума в плазмотронах с аппликаторами резонаторного типа.
2.3. Схемотехнические решения источников питания СВЧ-магнетронов в составе плазменного технологического оборудования.
Список литературы к главе 2.
Глава 3. Магнетронные системы формирования функциональных слоев в изделиях микроэлектроники.
3.1. Принцип действия и рабочие параметры магнетронных распылительных систем.
3.2. Высоковакуумное магнетронное распыление.
3.3. Методы генерации магнетронного разряда при пониженном давлении.
3.4. Самораспыление.
3.5. Ионно-ассистированное магнетронное распыление.
Список литературы к главе 3.
Глава 4. Высокочастотные технологические системы формирования контактных соединений при сборке изделий электроники.
4.1. Методы и устройства ВЧ-нагрева при сборке изделий электроники.
4.2. Технологические модули ВЧ-нагрева в электронике.
4.3. Программное управление температурными профилями ВЧ-нагрева при формировании контактных соединений в изделиях электроники.
Список литературы к главе 4.
Глава 5. Технологические процессы и оборудование для производства микроэлектромеханических систем.
5.1. Диффузионная сварка подложек микроэлектромеханических систем.
5.2. Установка диффузионной сварки МЭМС ЭМ-4044.
5.3. Лазерная микрообработка подложек СВЧ-модулей.
5.4. Оборудование лазерной микрообработки подложек МЭМС ЭМ-290.
Список литературы к главе 5.
Глава 6. Технологические комплексы контроля топологии микро- и наноструктур.
6.1. Виды контроля в процессах формирования микро- и наноструктур.
6.2. Контроль критических размеров и координат элементов при формировании топологии микро- и наноструктур.
6.3. Контроль на соответствие проектным данным.
6.4. Технология изготовления фотошаблонов с расширенным набором контрольных операций.
Список литературы к главе 6.
Глава 7. Кластерный нанотехнологический комплекс с импульсным лазерным осаждением пленок.
7.1. Характеристики и назначение комплекса.
7.2. Аппаратура контроля параметров нанесенных слоев.
7.3. Физико-химические процессы при лазерной абляции.
7.4. Алгоритм процессов импульсного лазерного осаждения пленок.
7.5. Влияние параметров импульсного лазерного осаждения на свойства пленок.
7.6. Применение нанокристаллических пленок VOх в ИК-фотоприемниках, сенсорах и мемристорах.
Список литературы к главе 7.
Заключение.
Приложение.

Купить .
Дата публикации:






Теги: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-11-13 11:32:06