В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субми-кронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических ВУЗов.
Ток стока короткоканального транзистора.
Длинноканальная модель тока стока МОПТ не является адекватной для короткоканальных приборов. Для обеспечения адекватности их описания необходимо учитывать следующие факторы: деградацию подвижности носителей при воздействии сильного вертикального поля; насыщение скорости носителей; влияние объемного заряда стока; неравномерное легирование канала; последовательное сопротивление истока и стока; емкость инверсионного слоя; эффекты горячих носителей.
Наиболее сильное влияние на величину тока стока оказывают первые четыре фактора. Последовательное сопротивление сток-истоковых областей играет значимую роль в МОПТ с длиной канала < 0,25 мкм. Эффекты горячих носителей являются обязательным предметом исследований при масштабировании субмикронных приборов.
Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.
Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу
Скачать книгу Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011 - djvu - Яндекс.Диск.
Дата публикации:
Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Красников
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
- Дальний прием телевидения, Сотников С.К., 1968
- Введение в цифровую звукотехнику, Синклер Ян, 1990
- Электрорадиоэлементы, Курсовое проектирование, Свитенко В.Н., 1987
- Импульсные и цифровые устройства, Браммер Ю.А., Пащук И.Н., 2003
Предыдущие статьи:
- Микропроцессорные реле защиты, Устройство, проблемы, перспективы, Гуревич В.И., 2011
- Электротехника, рабочая тетрадь, Ярочкина Г.В., 2012
- Техническое обслуживание, ремонт электрооборудования и сетей промышленных предприятий, книга 1, Сибикин Ю.Д., 2012
- Semiconductor lasers, Fundamentals and applications, Baranov A., Tournié E., 2013