Микропроцессорные реле защиты, Устройство, проблемы, перспективы, Гуревич В.И., 2011.
В книге рассмотрены устройство и принцип действия микропроцессорных устройств релейной защиты (МУРЗ) на примерах конкретных типов современных МУРЗ ведущих мировых производителей. Для облегчения понимания текста энергетиками, работающими с МУРЗ, но не являющимися специалистами в области электроники, приведено подробное описание элементной базы МУРЗ, устройства и принципов действия транзисторов, тиристоров, оптронов, реле.
Рассматриваются конкретные проблемы надежности отдельных функциональных узлов МУРЗ, а также вопросы, касающиеся методики оценки надежности и эффективности МУРЗ. Подробно рассмотрены вопросы электромагнитных воздействий на МУРЗ как естественных, так и преднамеренных, кибербезопасности.
Книга рассчитана на инженеров и техников, занимающихся эксплуатацией релейной защиты, а также может быть полезна конструкторам, занимающимся разработкой МУРЗ, преподавателям и студентам соответствующих специальностей средних и высших учебных заведений.
Принцип действия транзистора.
Идея об использовании полупроводников была выдвинута еще перед второй мировой войной, но знания о том, как они работали, был весьма скудным, и процесс производства чистых полупроводников был очень сложным.
В 1945 г. вице-президентом известной корпорации Bell Laboratories была создана группа исследователей, которой было поручено исследование возможностей применения полупроводников в электронике. Группу в составе Уолтера Браттэйна, Джона Бардина и других физиков, работавших в области квантовой теории в твердых телах, возглавил Уильям Шокли.
В 1947 г. Уильям Шокли с коллегами Джоном Бардином и Уолтером Браттэйном сделали первое успешное устройство из полупроводника для усиления электрического сигнала. Они назвали его транзистором (производное от "трансформатора" и "резистора"). Дальнейшее развитие этого устройства и технологии его производства привело и созданию кремниевого чипа, без которого сегодня немыслимо существование многих областей техники. За создание транзистора Шокли, Бардин и Браттэйн были удостоены в 1956 г. Нобелевской премии.
Купить книгу Микропроцессорные реле защиты, Устройство, проблемы, перспективы, Гуревич В.И., 2011 .
Дата публикации:
Теги: книги для студентов :: Гуревич
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
- Введение в цифровую звукотехнику, Синклер Ян, 1990
- Электрорадиоэлементы, Курсовое проектирование, Свитенко В.Н., 1987
- Импульсные и цифровые устройства, Браммер Ю.А., Пащук И.Н., 2003
- Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011
Предыдущие статьи:
- Электротехника, рабочая тетрадь, Ярочкина Г.В., 2012
- Техническое обслуживание, ремонт электрооборудования и сетей промышленных предприятий, книга 1, Сибикин Ю.Д., 2012
- Semiconductor lasers, Fundamentals and applications, Baranov A., Tournié E., 2013
- Переходные процессы в электроэнергетических системах, Куликов Ю.А., 2013