полупроводник

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Грибковский В.П., 1975.

   В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников.
Рассчитана на научных сотрудников, аспирантов, специалистов, занимающихся разработкой, созданием и применением полупроводниковых лазеров, фототропных фильтров и оптоэлектронных устройств. Может быть также использована студентами физических факультетов вузов.

Кинетические эффекты в полупроводниках, Аскеров В.М., 1970.

   Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем магнитном поле. Подробно излагаются основные выводы теории осцилляции Шубникова—де Гааза и магнетофонной осцилляции. Развита квантовая теория эффекта Нернста-Эттингсгаузена. В отличие от существующих книг, посвященных кинетической теории полупроводников, здесь изложены классическая и квантовая теории гальваномагнитных и термомагнитных явлений, охвачены все практически важные модели энергетических зон.

Квантовые процессы в полупроводниках, Ридли Б., 1986.

   Книга известного английского физика Б. Рядли удачно дополняет имеющиеся учебные пособия по физике полупроводников. Обсуждаются особенности зонной структуры и дискретных энергетических уровней, характеристики процессов рассеяния, излучательных и безызлучательных переходов в полупроводниках. Изложение физических идей и принципиальных особенностей рассматриваемых явлений сочетается с описанием результатов для конкретных материалов с учетом специфики их электронной структуры — многодолинности, анизотропии, симметрии электронных состояний и т. п.
Книга рассчитана на студентов, аспирантов и исследователей-экспериментаторов, специализирующихся в области физики полупроводников.

Физический эксперимент в школе, Электроника, Полупроводники, Автоматика, Покровский А.А., Буров В.А., Зворыкин Б.С., Румянцев И.М., 1964.

   В этой книге описан демонстрационный эксперимент по электронике, полупроводникам и автоматике — вопросам, недавно введенным в программу по физике средней школы. Разрабатывая демонстрации, авторы стремились оказать учителю физики конкретную помощь в постановке и проведении эксперимента, а также в .подборе связанного с ним оборудования.

Введение в физику полупроводников, Фистуль В.И., 1984.

   В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области их применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Содержание второго издания (1-е вышло в 1975 г.) переработано с учетом новых технологических приемов. Добавлены разделы физические явления в аморфных и стеклообразных полупроводниках и др.

Введение в физику полупроводников, Шалабутов Ю.К., 1969.

   В книге в доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация явлений дана прежде всего качественная, но в необходимых случаях приводятся математические выкладки и выводы основных формул.
Для того чтобы не отсылать читателя к другим источникам, автор счел целесообразным привести ряд формул без выводов.
Учитывая интересы предполагаемого читателя, автор старался, хотя бы бегло упомянуть о большинстве эффектов, с которыми приходится иметь дело в экспериментальной и инженерной практике или представляющих теоретический интерес.

Физические основы электроники, Бобылев Ю.Н., 1999.

   Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдельных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные вопросы. В пособии приведен список современной литературы по физическим основам электроники.
Для студентов, обучающихся по специальности «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов». Может быть рекомендовано также для специальностей «Электроснабжение горного производства» и «Технология машиностроения».

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.

Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.