Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Грибковский В.П., 1975

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Грибковский В.П., 1975.

   В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников.
Рассчитана на научных сотрудников, аспирантов, специалистов, занимающихся разработкой, созданием и применением полупроводниковых лазеров, фототропных фильтров и оптоэлектронных устройств. Может быть также использована студентами физических факультетов вузов.




Химическая связь в кристаллах.
В процессе роста кристалла происходит взаимодействие валентных электронов атомов, приводящее в выделению тепла и образованию химических связей. Потенциальная энергия кристалла всегда меньше суммы потенциальных энергий образующих атомов, и поэтому для его разрушения необходима затрата энергии. Различают химические связи четырех видов: ионная, ковалентная (гомеополярная), металлическая и молекулярная (Ван-дер-Ваальса) [6,7].

При рассмотрении характера химической связи следует учитывать электроотрицательность атома и сродство к электрону. Электроотрицательность атома характеризуется энергией, которую получает атом, участвующий в каком-либо равновесном процессе, при потере одного электрона с внешней оболочки. Одним из таких равновесных процессов и является рост кристалла. Электроотрицателность атомов одно- и двухвалентных элементов практически равна половине энергии ионизации. Для атомов многовалентных элементов она несколько больше половины энергии ионизации. Последняя величина, как известно, характеризует энергию, которую необходимо затратить для принудительного отрыва электрона от невозбужденного атома и удаления его на бесконечность, например, при бомбардировке частицами высоких энергий или световыми квантами.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
Глава I. Общая характеристика полупроводников.
§1. Кристаллическая природа полупроводников.
§2. Электронные состояния в твердых телах.
§3. Статистика электронов в полупроводниках.
§4. Колебания кристаллической решетки.
§5. Экситоны и поляроны.
Глава II. Основные механизмы взаимодействия света с полупроводниками.
Вводные замечания (85).
§6. Оптические переходы зона—зона.
§7. Люминесценция.
§8. Экситонный механизм поглощения и испускания света.
§9. Оптические переходы в примесном полупроводнике.
§10. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями и кристаллической решеткой.
§11. Безызлучательная рекомбинация.
§12. Изменение оптических свойств полупроводников под действием внешних сил.
Глава III. Поглощение света и фотолюминесценция при интенсивном возбуждении.
§13. Эффекты насыщения в системах с дискретными уровнями энергии.
§14. Просветление полупроводников на частоте возбуждающего света.
§15. Деформация спектров поглощения и люминесценции. Насыщение усиления.
§16. Двухфотонное поглощение.
§17. Насыщение поглощения в конечных объемах вещества.
§18. Экситон-экситонное взаимодействие при низких температурах.
Глава IV. Полупроводниковые лазеры.
§19. Исходные положения квантовой электроники.
§20. Зависимость порогового тока от спектроскопических характеристик вещества и параметров резонатора.
§2i. Мощность и к.п.д. генерации лазерных диодов.
§22. Спектральные и пространственные характеристики генерируемого излучения.
§23. Радиационный шум в лазерах.
§24. Временные характеристики генерации.
§25. Полупроводниковые лазеры с оптическим и электронным возбуждением.
Литература.
Предметный указатель.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Грибковский В.П., 1975 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать файл № 1 - pdf
Скачать файл № 2 - djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.

Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Грибковский :: полупроводник