Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «ЛитРес», и потом ее скачать на сайте Литреса.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.


Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009.

   Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры, современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах.
Для студентов обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» (210100.62 — бакалавр, 210100.68 - магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 210108.65 «Микросистемная техника», 010803.65 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210601.65 «Нанотехнологии в электронике». Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания.

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009


Общий подход к анализу полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые приборы являются весьма сложными объектами. Их анализ включает исследование статических характеристик прибора, его работу на высокочастотном гармоническом сигнале или в импульсном режиме, а также синтез моделей, позволяющих описывать поведение прибора в составе электронных устройств обработки информации.

Для определения токов в выводах прибора необходимо найти потоки электронов и дырок через некоторые поверхности, отделяющие электроды от внутренних областей прибора Плотности токов определяются пространственными распределениями концентраций подвижных носителей и напряженности электрического поля (см. разд. 1.4). Уравнения для токов содержат кинетические коэффициенты (подвижности и коэффициенты диффузии частиц), которые являются локальными функциями средней энергии носителей. Таким образом, для определения плотностей тока необходимо найти пространственные распределения концентраций носителей заряда и их средних энергий, а также напряженности электрического поля.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие редактора Ю. А. Парменова.
Глава I. Основные сведения из физики полупроводников.
Глава II. р-n переходы и полупроводниковые диоды.
Глава III. Транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник.
Глава IV. Биполярные транзисторы.
Глава V. Сравнительный анализ принципов действия и свойств биполярных и полевых транзисторов.
Глава VI. Контакты металл—полупроводник.
Глава VII. Полевые транзисторы с управляющим барьерным переходом.
Глава VIII. Гетеропереходные транзисторы.
ПРИЛОЖЕНИЯ.
Приложение 1. Физические константы.
Приложение 2. Список общих обозначений.
Приложение 3. Свойства некоторых полупроводниковых материалов (Т = 300 К).
Приложение 4. Энергии ионизации примесей в Si, Ge и GaAs.
Приложение 5. Греческий алфавит.
Литература к приложениям 3,4.

Купить .

Купить .
Дата публикации:






Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-11-13 11:30:08