Введение в физику полупроводников, Фистуль В.И., 1984

Введение в физику полупроводников, Фистуль В.И., 1984.

   В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области их применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Содержание второго издания (1-е вышло в 1975 г.) переработано с учетом новых технологических приемов. Добавлены разделы физические явления в аморфных и стеклообразных полупроводниках и др.




Зонная структура энергетического спектра носителей заряда.
Стоящая перед нами задача сводится к рассмотрению свойств и поведения электронов в кристаллическом твердом теле.

Из курсов атомной физики и квантовой механики известно поведение электронов в отдельно взятом изолированном атоме. В этом случае электроны могут обладать не любыми значениями энергии Е, а лишь некоторыми. Энергетический спектр электронов приобретает дискретный характер, как это показано на рис. 1. 2, в. Переходы с одного энергетического уровня на другой связаны с поглощением или выделением энергии.

Возникает вопрос, как изменятся энергетические электронные уровни в атомах, если приближать атомы друг к другу, т. е. конденсировать их в твердую фазу. Упрощенная картина такого одномерного кристалла приведена на рис. 1. 2, а.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Часть первая Физические явления в полупроводниках.
Глава 1. Энергетический спектр носителей заряда в идеальных полупроводниках.
§1.1. Основные определения.
§1.2. Зонная структура энергетического спектра носителей заряда.
§1.3. Энергетический спектр электронов в трехмерном кристалле.
§1.4. Заполнение зон. Эффективная масса носителей заряда.
Глава 2. Энергетический спектр носителей заряда в реальных полупроводниках.
§2.1. Дефекты в кристаллах.
§2.2. Примесные атомы.
§2.3. Вакансии.
§2.4. Поверхностные уровни.
§2.5. Дислокации.
§2.6 Плоские и сложные дефекты.
Глава 3. Термодинамическое равновесие носителей заряда.
§3.1. Основные положения статистической физики.
§3.2. Связь концентрации носителей заряда в разрешенных зонах с уровнем Ферми.
§3.4. Решение уравнения нейтральности для собственного полупроводника.
§3.5. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника с одним типом однозарядных доноров.
§3.6. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника с одним типом однозарядных акцепторов.
§3.7. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника содержащего одновалентные компенсирующие примеси.
§3.8. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника, содержащего многовалентные примеси.
§3.9. Статистика носителей заряда в полупроводнике, содержащем амфотерную примесь.
§3.10. Статистика носителей заряда в полупроводнике содержащем вакансии.
§3.11. Статистика электронов в полупроводнике с дислокациями.
§3.12. Статистика электронов при образовании сложных дефектов в кристалле.
Глава 4. Кинетические явления в полупроводниках.
§4.1. Способность полупроводников проводить электрический тон и тепло.
§4.2. Метод уравнения Больцмана.
§4.3. Рассеяние носителей заряда на ионизированных примесях.
§4.4. Рассеяние на нейтральных примесях.
§4.5. Рассеяние на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки.
§4.6. Рассеяние на других дефектах.
§4.7. Смешанное рассеяние носителей заряда в полупроводниках.
§4.8. Электропроводность полупроводников.
§4.9. Эффект Холла.
§4.10. Термоэлектрические явления.
§4.11. Теплопроводность полупроводников.
§4.12. Термомагнитные явления.
§4.13. Другие кинетические эффекты.
Глава 5. Оптические явления.
§5.1. Взаимодействие света с кристаллической средой.
§5.2. Собственное поглощение света в полупроводниках.
§5.3. Поглощение света свободными носителями заряда.
§5.4. Поглощение света примесными центрами.
§5.5. Решеточное (фононное) поглощение света.
§5.6. Экситонное поглощение света.
§5.7. Отражение света.
§5.8. Эффект Фарадея.
Глава 6. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
§6.1. Основные определения.
§6.2. Межзонная излучательная рекомбинация.
§6.3. Межзонная безызлучательная рекомбинация.
§6.4. Межзонная ударная рекомбинация (Оже-рекомбинация).
§6.5. Рекомбинация через однозарядные локальные центры (теория Шокли-Рида).
§6.6. Механизм рекомбинации через локальные центры.
§6.7. Соотношения между различными видами и механизмами рекомбинации в полупроводниках.
§6.8. Особые случаи рекомбинации носителей заряда.
§6.9. Понятие о поверхностной рекомбинации.
§6.10. Диффузионная длина носителей заряда.
Глава 7. Фотоэлектрические явления.
§7.1. Фотопроводимость полупроводников.
§7.2. Примесная фотопроводимость.
§7.3. Фотовольтаические эффекты.
§7.4. Фотолюминесценция.
Глава 8. Полупроводники в сильном электрическом поле.
§8.1. Разогрев носителей заряда в электрическом поле.
§8.2. Опыты Иоффе.
§8.3. Термоэлектрическая ионизация (эффект Френкеля).
§8.4. Электростатическая ионизация (туннельный эффект).
§8.5. Ударная ионизация.
§8.6. Эффект Франца — Келдыша.
§8.7. Рекомбинация носителей заряда в сильном электрическом поле.
§8.8. Токовые неустойчивости в однородных полупроводниках в сильном электрическом поле.
Глава 9. Контактные явления.
§9.1. Контакт металл-полупроводник.
§9.2. Выпрямление тока на контакте металл—полупроводник.
§9.3. Электронно-дырочный переход. (p-n-переход).
§9.4. Гетеропереходы.
Глава 10. Магнитные явления в полупроводниках.
§10.1. Общие сведения о магнетизме.
§10.2. Магнетизм полупроводниковых веществ.
§10.3. Энергетический спектр носителей заряда в магнитном поле.
§10.4. Осцилляционные явления.
§10.5. Магнитная восприимчивость немагнитных полупроводников.
§10.6. Локализованные магнитные моменты в немагнитных полупроводниках.
§10.7. Резонансные явления.
§10.8. Полумагнитные полупроводники.
§10.9. Магнитные полупроводники.
Глава 11. Полупроводниковые свойства неупорядоченных веществ.
§11.1. Неупорядоченные системы.
§11.2. Основные особенности сильно легированных полупроводников
§11.3. Аморфные полупроводники.
§11.4. Жидкие и стеклообразные полупроводники.
Часть вторая Экспериментальные методы исследования параметров полупроводниковых материалов.
Глава 12. Методы измерения основных параметров полупроводниковых материалов.
§12.1. Основные параметры, характеризующие полупроводниковые материалы.
§12.2. Зондовые методы измерения удельного сопротивления.
§12.3. Бесконтактные методы измерения удельной электрической проводимости.
§12.4. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда.
§12.5. Методы раздельного определения концентраций доноров и акцепторов в полупроводниках типа AIV и AIII Bv.
§12.6. Методы измерения времени жизни носителей заряда.
§12.7. Оптические, фотоэлектрические и фотолюминесцентные методы исследования.
Глава 13. Методы измерения основных параметров эпитаксиальных структур.
§13.1. Определение толщин эпитаксиальных слоев.
§13.2. Методы измерения удельной проводимости.
§13.3.Определение концентрации носителей заряда.
§13.4.Методы контроля неоднородности эпитаксиальных структур.
Часть третья Основные области применения полупроводниковых материалов.
Глава 14. Радиотехнические и электротехнические приборы.
§14.1. Силовые диоды (выпрямители).
§14.2. Стабилитроны.
§14.3. Импульсные диоды.
§14.4. СВЧ-детекторы.
§14.5. Диоды с переменной емкостью (варикапы).
§14.6. Туннельные диоды.
§14.7. Транзисторы.
§14.8. Полевые транзисторы МДП-транзисторы и приборы с зарядовой связью.
§14.9. Принципы построения интегральных схем.
Глава 15. Фотоэлектрические и другие приборы с р-n-переходами.
§15.1. Солнечные батареи.
§15.2. Полупроводниковые приемники излучений.
§15.3. Полупроводниковые источники света и лазеры.
§15.4. Приборы оптоэлектроники.
Глава 16. Полупроводниковые приборы без р-n-переходов.
§16.1. Термоэлектрические полупроводниковые приборы.
§16.2. Полупроводниковые тензометры.
§16.3. Датчика э. д. с. Холла.
Приложения.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Введение в физику полупроводников, Фистуль В.И., 1984 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Фистуль :: полупроводник