Элементная база телекоммуникационных устройств, Савиных B.Л., 2020

Элементная база телекоммуникационных устройств, Савиных B.Л., 2020.

   Рассмотрены пассивные и активные элементы электронных схем. Приводятся основные характеристики и параметры этих приборов, их зависимости от режима работы и температуры.
Учебное пособие предназначается для студентов дневной и заочной форм обучения по направлениям: 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.04 «Интегральная электроника и наноэлектроника», 10.03.01 «Информационная безопасность».




Диффузионный ток.
Кроме теплового возбуждения, приводящего к возникновению равновесной концентрации зарядов, равномерно распределенных по объему полупроводника, обогащение полупроводника электронами до концентрации nр и дырками до концентрации рn может осуществляться его освещением, облучением потоком заряжённых частиц, введением их через контакт (инжекцией) и т. д. В этом случае энергия возбудителя передается непосредственно носителям заряда и тепловая энергия кристаллической решетки остается практически постоянной. Следовательно, избыточные носители заряда не находятся в тепловом равновесии с решеткой и поэтому называются неравновесными. В отличие от равновесных они могут неравномерно распределяться по объему полупроводника (рисунок 2.16).

После прекращения действия возбудителя за счет рекомбинации электронов и дырок концентрация избыточных носителей быстро убывает и достигает равновесного значения.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
1. Пассивные радиокомпоненты.
1.1. Резисторы.
1.1.1. Общие сведения.
1.1.2. Условные обозначения постоянных и переменных резисторов.
1.1.3. Основные параметры постоянных и переменных резисторов.
1.2. Конденсаторы.
1.2.1. Параметры конденсаторов.
1.2.2. Система обозначений и маркировка конденсаторов.
1.3. Катушки индуктивности.
1.4. Контрольные вопросы.
2. Основы теории электропроводности полупроводников.
2.1. Общие сведения о полупроводниках.
2.1.1. Полупроводники с собственной проводимостью.
2.1.2. Полупроводники с электронной проводимостью.
2.1.3. Полупроводники с дырочной проводимостью.
2.2. Токи в полупроводниках.
2.2.1. Дрейфовый ток.
2.2.2. Диффузионный ток.
2.3. Контрольные вопросы.
3. Контактные явления в полупроводниках.
3.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.
3.2. Прямое включение р-n перехода.
3.3. Обратное включение р-n перехода.
3.4. Теоретическая характеристика р-n-перехода.
3.5. Реальная характеристика р-n перехода.
3.6. Отличия ВАХ для полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
3.7. Зависимость ВАХ р-n-переходов от температуры.
3.8. Ёмкости р-n-перехода.
3.9. Контрольные вопросы.
4. Разновидности электрических переходов.
4.1. Гетеропереходы.
4.2. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
4.3. Контакт металла с полупроводником.
4.4. Омические контакты.
4.5. Явления на поверхности полупроводника.
4.6. Контрольные вопросы.
5. Полупроводниковые диоды.
5.1. Классификация.
5.2. Выпрямительные диоды.
5.3. Универсальные и импульсные диоды.
5.4. Стабилитроны и стабисторы.
5.5. Варикапы.
5.6. Контрольные вопросы.
6. Полевые транзисторы.
6.1. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом.
6.2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом.
6.3. Полевой транзистор с управляющим переходом металл-полупроводник.
6.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы).
6.4.1. Статические характеристики МДП ПТ.
6.5. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
6.6. Эквивалентная схема полевого транзистора.
6.7. Частотная свойства полевого транзистора.
6.8. Полевой тетрод.
6.8. Контрольные вопросы.
7. Биполярные транзисторы.
7.1. Общие сведения.
7.2. Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
7.3. Токи в транзисторе.
7.4. Статические характеристики биполярных транзисторов.
7.4.1. Влияние температуры на статические характеристики БТ.
7.5. Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
7.6. Модели биполярного транзистора.
7.7. Эксплуатационные параметры транзисторов.
7.8. Частотные свойства биполярного транзистора.
7.9. Контрольные вопросы.
8. Приборы силовой электроники.
8.1. Тиристоры.
8.1.1. Динисторы.
8.1.2. Тринисторы.
8.1.3. Разновидности тринисторов.
8.2. Мощные полевые транзисторы.
8.3. Транзисторы со статической индукцией.
8.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором.
8.4.1. Составной БТИЗ.
8.4.2. БТИЗ с тиристорным эквивалентом.
8.5. Полевые тиристоры с управляющей МДП - структурой (MCT).
8.6. Контрольные вопросы.
Библиография.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Элементная база телекоммуникационных устройств, Савиных B.Л., 2020 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Савиных