Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001

Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001.

   Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-м издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначается для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.




Интегральные схемы.
В процессе развития микроэлектроники (МЭ) номенклатура ИС непрерывно изменялась. Главный тип ИС в настоящее время — полупроводниковые ИС. Им и будет посвящено основное содержание этого пособия.

Классификация ИС. Классификация ИС может производиться по различным признакам, ограничимся здесь лишь одним. По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные.

Полупроводниковая ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки (рис. 1.2). Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие ко второму изданию.
Предисловие к первому изданию.
Глава 1. Предмет микроэлектроники.
1.1. Введение.
1.2. Интегральные схемы.
1.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов.
1.4. Краткий исторический обзор.
1.5. Заключение.
Контрольные вопросы.
Глава 2. Полупроводники.
2.1. Введение.
2.2. Структура полупроводников.
2.3. Носители заряда.
2.4. Энергетические уровни к зоны.
2.5. Распределение носителей в зонах проводимости.
2.6. Эффект поля.
2.7. Рекомбинация носителей.
2.8. Законы движения носителей в полупроводниках. Контрольные вопросы.
Глава 3. Полупроводниковые переходы и контакты.
3.1. Введение.
3.2. Электронно-дырочные переходы.
3.3. Контакты полупроводник-металл.
3.4. Граница полупроводник-диэлектрик.
Контрольные вопросы.
Глава 4. Униполярные транзисторы.
4.1. Введение.
4.2. МДП-транзисторы.
4.3. Полевые транзисторы.
Контрольные вопросы.
Глава 5. Физические принципы работы биполярного транзистора и тиристора.
5.1. Введение.
5.2. Принцип действия.
5.3. Распределения носителей.
5.4. Коэффициенты усиления тока.
5.5. Статические характеристики.
5.6. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
5.7. Переходные и частотные характеристики.
5.8. Тиристор.
Контрольные вопросы.
Глава 6. Технологические основы микроэлектроники
6.1. Введение.
6.2. Подготовительные операции.
6.3. Эпитаксия.
6.4. Термическое окисление.
6.5. Легирование.
6.6. Травление.
6.7. Техника масок.
6.8. Нанесение тонких пленок.
6.9. Металлизация.
6.10. Сборочные операции.
6.11. Технология тонкопленочных гибридных ИС.
6.12. Технология толстопленочных гибридных ИС.
Контрольные вопросы.
Глава 7. Элементы интегральных схем.
7.1. Введение.
7.2. Изоляция элементов.
7.3. Транзисторы n-p-n.
7.4. Разновидности n-р-n-транзисторов.
7.5. Транзисторы р-n-р.
7.6. Интегральные диоды.
7.7. Полевой транзистор.
7.8. МДП-транзисторы.
7.9. Полупроводниковые резисторы.
7.10. Полупроводниковые конденсаторы.
7.11. Элементы ИС на полупроводниках группы АIIIВV.
7.12. Элементы пленочных ИС.
Контрольные вопросы.
Глава 8. Основы цифровой схемотехники.
8.1. Введение.
8.2. Статический режим простейшего биполярного ключа.
8.3. Переходные процессы в простейшем биполярном ключе.
8.4. Ключ с барьером Шоттки.
8.5. Переключатель тока.
8.6. МДП-транзисторные ключи.
8.7. Помехоустойчивость ключей.
8.8. Бистабильные ячейки и триггеры.
8.9. Триггер Шмитта.
Контрольные вопросы.
Глава 9. Основы аналоговой схемотехники.
9.1. Введение.
9.2. Составные транзисторы.
9.3. Статический режим простейшего усилителя.
9.4. Переходные процессы в простейшем усилителе.
9.5. Простейшие усилители на МДП-транзисторах.
9.6. Дифференциальные усилители.
9.7. Эмиттерные повторители.
9.8. Каскод.
9.9. Выходные каскады.
9.10. Стабилизаторы напряжения.
9.11. Стабилизаторы тока.
Контрольные вопросы.
Глава 10. Интегральные схемы.
10.1. Введение.
10.2. Логические элементы на биполярных транзисторах.
10.3. Логические элементы на МДП-транзисторах.
10.4. Логические элементы на совмещенных биполярных и МОП-транзисторах (БиКМОП).
10.5. Логические элементы на полевых транзисторах с управляющим переходом металл-полупроводник (МЕП).
10.6. Параметры логических элементов.
10.7. Интегральные триггеры.
10.8. Запоминающие устройства.
10.9. Большие и сверхбольшие интегральные схемы.
10.10. Операционные усилители.
10.11. Надежность интегральных схем.
10.12. Заключение.
Контрольные вопросы.
Заключение. Перспективы развития микроэлектроники.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Степаненко :: транзистор :: микроэлектроника