Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий, Методы и применение, Жу У., Уанга Ж.Л., 2017.
В книге под редакцией известных ученых собраны статьи и обзоры видных специалистов в области нанотехнологий, посвященные растровой электронной микроскопии (РЭМ). С помощью РЭМ можно изучать свойства наночастиц, нанопроволок, нанотрубок, трехмерных наноструктур, квантовых точек, магнитных наноматериалов, фотонных кристаллов и биологических наноструктур. Рассмотрены различные типы РЭМ, включая просвечивающие микроскопы с высоким разрешением, рентгеновский микроанализ, новейшие методы получения изображения посредством обратно рассеянных электронов, а также методы электронной криомикроскопии для исследования биообъектов. Книга предназначена для широкого круга практических специалистов в сфере нанотехнологий, но будет полезна также студентам вузов и разработчикам новых типов растровых электронных микроскопов.
Взаимодействие электронов с образцом.
Формирование изображения в РЭМ зависит от типа собираемых сигналов, образующихся в результате взаимодействий электронного пучка с образцом. Эти взаимодействия можно разделить на две основных категории: упругие и неупругие взаимодействия. Упругие рассеяния происходят в результате отражения падающих электронов за счет их взаимодействия с атомными ядрами или электронами внешних оболочек, обладающими близкой по величине энергией. Этот вид взаимодействия характеризуется пренебрежимо малыми энергетическими потерями в процессе столкновения и широким интервалом углов отклонения от первоначального направления движения для рассеянных электронов. Первичные электроны, которые упруго рассеялись на угол больший, чем 90°, называются обратно рассеянными, или отраженными электронами (ОРЭ, ОЭ, или BSE — back scattered electrons) и дают полезный сигнал для получения изображения образца. Неупругое рассеяние протекает путем многократных взаимодействий первичных электронов с электронами и атомами образца и приводит к передаче энергии от первичного электронного пучка к атому образца.
Оглавление.
Глава 1.Основы растровой электронной микроскопии.
Глава 2.Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ) и примеры исследования материалов.
Глава 3.Рентгеновский микроанализ в наноматериалах.
Глава 4.Низкокиловольтная растровая электронная микроскопия.
Глава 5.Электронно-лучевая нанолитография в растровом электронном микроскопе.
Глава 6.Просвечивающая растровая электронная микроскопия для исследования наноструктур.
Глава 7.Введение в наноманипулирование in situ для конструирования наноматериалов.
Глава 8.Применение фокусированного ионного пучка и двухлучевых систем DualBeam для изготовления наноструктур.
Глава 9.Нанопроволоки и углеродные нанотрубки.
Глава 10.Фотонные кристаллы и устройства.
Глава 11.Наночастицы и коллоидные самосборки.
Глава 12.Наноблоки, изготовленные посредством темплатов.
Глава 13.Одномерные полупроводниковые структуры с кристаллической решеткой типа вюрцита.
Глава 14.Бионаноматериалы.
Глава 15.Низкотемпературные стадии в наноструктурных исследованиях.
Купить .
Теги: Жу :: Уанга :: книги по нанотехнологиям :: нанотехнологии :: микроскопия
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
- Электрические сети жилых и общественных зданий, Тульчин И.К., Нудлер Г.И., 1983
- Техническая электроника, Ткаченко Ф.А., 2002
- Теоретические основы электротехники, Учебное пособие, Крутов А.В., Кочетова Э.Л., Гузанова Т.Ф., 2016
- Теоретические основы и принципы применения защитного обесточивания рудничных электротехнических комплексов, Монография, Маренич К.Н., 2021
- Основы электроники, Пляц А.М., 1968
- Особенности организации электромонтажных работ на высоте, Трифонов А.Н., 1982
- Основы эксплуатации электрических сетей, Учебное пособие, Короткевич М.А., 1999
- Основы твердотельной электроники, Учебное пособие, Гусев В.А., 2004