Микроэлектроника и схемотехника, Параскевов А.В., 2019

Микроэлектроника и схемотехника, Параскевов А.В., 2019.

   Материалы учебника являются результатом многолетнего изучения проблем низкоуровневых языков программирования и направлены на освоение ключевых характеристик и технических особенностей микропроцессоров и в целом микроэлектронной техники и компонентов.
Издание предназначено для обучающихся по направлению подготовки 09.03.02 Информационные системы и технологии направленность Создание, модификация и сопровождение информационных систем, администрирование баз данных, а также специалистов и инженеров в области компьютерных технологий, компьютерных систем и программирования.




ИМПУЛЬСНЫЕ СИГНАЛЫ И ИХ ПАРАМЕТРЫ.
Работа большинства полупроводниковых диодов основана на использовании свойств р-n перехода. Так, выпрямительным диодом является обычный р-n переход, вентильные свойства которого и находят свое основное применение.

Выпрямительными (силовыми) диодами обычно называют диоды, предназначенные для преобразования переменного напряжения источников питания в постоянное. Пробивные напряжения кремниевых выпрямительных диодов могут достигать 1,5-2,0 кВ. а падение напряжения на диоде при протекании прямого тока обычно не превышает 1,5 В. Выпрямительные диоды обычно подразделяются на диоды малой, средней и большой мощности, рассчитанные на выпрямленный ток до 0,3, от 0,3 до 10 и свыше 10 А соответственно.

Выпрямительные диоды, как правило, имеют очень ограниченный частотный диапазон; чаще всего рабочая частота - 50 Гц. Несколько более высокую частоту имеют специальные диоды переменного тока. В последнее время все большее применение находят диоды, рабочая частота которых составляет 10-20 кГц.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
1 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПЛЕНОЧНОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
2 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
3 ФИЗИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ НА УМЕНЬШЕНИЕ РАЗМЕРОВ И РОСТ СТЕПЕНИ ИНТЕГРАЦИИ.
4 ИМПУЛЬСНЫЕ СИГНАЛЫ И ИХ ПАРАМЕТРЫ.
5 P–N ПЕРЕХОД.
6 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
7 ПОНЯТИЕ ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ. ЧИПЫ.
8 ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ.
9 ОСНОВЫ РЕАЛИЗАЦИИ ОПЕРАТИВНЫХ И ДОЛГОВРЕМЕННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ.
10 ОДНОКРИСТАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ И УСТРОЙСТВА НА ИХ ОСНОВЕ.
11 СЕКЦИОННЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ И УСТРОЙСТВА НА ИХ ОСНОВЕ.
12 СЕКЦИОННЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ И УСТРОЙСТВА НА ИХ ОСНОВЕ (ПРОДОЛЖЕНИЕ).
13 ОСНОВЫ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
14 УСТРОЙСТВА И ПРИБОРЫ, ВЫПОЛНЕННЫЕ С ПРИМЕНЕНИЕМ ТЕХНОЛОГИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
16 СОВРЕМЕННЫЕ ТИПЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ.
17 ВВЕДЕНИЕ В НАНОЭЛЕКТРОНИКУ. КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ, КВАНТОВЫЕ НИТИ. КВАНТОВЫЙ КОМПЬЮТЕР.
18 ДАТЧИКИ.
19 МИКРОПРОЦЕССОРЫ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ТЕРМИНОВ.
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.
ПРИЛОЖЕНИЕ А.

Купить .

Купить .





Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Параскевов :: микроэлектроника