Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013.

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости.




СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЛЕТУЧИХ КОМПЛЕКСОВ МЕТАЛЛОВ Ru, Ir, Си, Ni С ОРГАНИЧЕСКИМИ ЛИГАНДАМИ.
Одним из важнейших направлений развития современной наноэлектроники  является уменьшение топологических размеров приборов, что требует поиска новых материалов и способов организации процессов осаждения тонких наноструктурированных металлических слоев. Металлические покрытия Ru (Іг), Си, Ni рассматриваются как возможный материал для использования в качестве электрохимических электродов [1], контактов [2], металлизации для многоуровневых интегральных микросхем [3], электродов в конденсаторных ячейках памяти типа «Металл— Диэлектрик—Металл») [4], в качестве материала для затвора транзисторов [5], в качестве барьерных слоев [6], а также затравочных слоев для так называемой «медной» многослойной металлизации интегральных микросхем [7].

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1.СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЛЕТУЧИХ КОМПЛЕКСОВ МЕТАЛЛОВ Rn, Ir, Си, N1 С ОРГАНИЧЕСКИМИ ЛИГАНДАМИ.
Глава 2.НОВЫЕ РЕАГЕНТЫ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ.
Глава 3.ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ. ПОСТРОЕНИЕ CVD-ДИАГРАММ.
Глава 4. ОСАЖДЕНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Rn, Ir, Си, N1 МЕТОДОМ МО CVD
Глава 5.РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ ДВУХ- И ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК ИЗ В-ДИКЕТОНАТНЫХ КОМПЛЕКСОВ МЕТАЛЛОВ.
Глава 6.ОТ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ- ПРЕДШЕСТВЕННИКОВ К МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫМ ПОКРЫТИЯМ ИЗ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ.
Глава 7.CVD-СИНТЕЗ ПЛЕНОК И ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ФАЗ СИСТЕМЫ B-C-N.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.








Теги: Кузнецов :: книги по химии :: химия :: наноэлектроника :: электроника