Методы литографии в наноинженерии, учебное пособие, Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю.Б., 2011

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «ЛитРес», и потом ее скачать на сайте Литреса.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.


Методы литографии в наноинженерии, учебное пособие, Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю.Б., 2011.

Методические материалы по дисциплине «Методы литографии в наноинженерии» содержат ее нормативную базу, рекомендации по организации и проведению лекций, практических занятий, семинаров, лабораторных работ и деловых игр, перечень учебных видео- и аудиоматериалов, слайдов, типовых плакатов и другие дидактические материалы, необходимые для работы профессорско-преподавательского состава по данной дисциплине. Для студентов, аспирантов и преподавателей высших технических учебных заведений по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия». Будут полезны всем, занимающимся вопросами нанотехнологий, наноинженерии, проектированием МЭМС и НЭМС, созданием электронных систем различного назначения.

Методы литографии в наноинженерии, учебное пособие, Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю.Б., 2011


Современное состояние.

Требуемые размеры элементов в резистовой маске (РМ) должны выполняться с учётом технологии последующих обработок РМ и технологической коррекции, которая учитывает уход размера в процессе переноса изображения и процессов травления и легирования через сформированную резистовую маску. В процессе травления и легирования технологическим трансформациям подвергается не только технологический слой, но и резистовая маска, что приводит к необходимости учёта трёхмерной конфигурации маски как при ее получении, так и учитывать ее стойкость к соответствующим физико-химическим факторам, действующим в процессах травления и легирования.


Содержание.

Предисловие
Список сокращений
Введение
1. Конспект лекций
2. Методические рекомендации
Заключение
Литература

Купить .
Дата публикации:






Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-11-02 13:20:29