Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «ЛитРес», и потом ее скачать на сайте Литреса.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.


Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020.

   В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.
Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020


Контакт полупроводник - полупроводник.
Соединение двух полупроводников одного вида, например, р- и n-кремния, встречается во многих электронных компонентах, включая диоды, биполярные и полевые транзисторы. Ширина запрещенной зоны при соединении однородных полупроводников остается постоянной, а двойной электрический слой вблизи перехода обеспечивает изгиб зон и выравнивание уровней Ферми. Положение нового равновесного уровня Ферми зависит от концентрации носителей заряда в левой и правой частях перехода, от температуры и приложенного внешнего напряжения.

В более общем случае соединения разнородных полупроводников, называемом гетероструктурой, различными оказываются все параметры материалов: сродство к электрону, ширина запрещенной зоны, концентрации и тип носителей заряда. Различают гетероструктуры первого типа (рис. 1.9, а), где запрещенная зона одного полупроводника полностью укладывается в 33 второго. В гетероструктурах второго типа (рис. 1.9, б) запрещенные зоны полупроводников смещены относительно друг друга. Последовательное объединение нескольких гетероструктур позволяет создавать квантовые ямы, сверхрешетки КЯ, одно- и многобарьерные туннельные структуры.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Список сокращений.
Введение.
1. Элементы низкоразмерных структур. Гетеропереходы.
1.1. Свободная поверхность и поверхностные состояния.
1.2. Межфазные границы: атомная и зонная структура.
1.3. Низкоразмерные структуры и квантовое ограничение.
2. МОП-транзисторы и «короткоканальные» эффекты.
2.1. Простейшая модель МОП-транзистора с длинным каналом.
2.2. Связь статических и динамических характеристик МОПТ.
2.3. Эффекты масштабирования транзисторов.
3. Технологии миниатюризации транзисторов в кремниевой электронике.
3.1. Токи утечки и масштабирование транзисторов.
3.2. Технологии борьбы с токами утечки.
3.3. Альтернативные типы транзисторов.
4. Основы одноэлектроники.
4.1. Одноэлектронный транспорт и туннелирование.
4.2. Одноэлектронный транзистор.
4.3. Примеры одноэлектронных устройств.
5. Современные элементы памяти.
5.1. Магнитная память.
5.2. Сегнетоэлектрическая память.
5.3. Память с изменением фазового состояния.
5.4. Резистивная память. Мемристоры.
6. Квантовые компьютеры.
6.1. Квантовые биты и регистры.
6.2. Квантовые операции.
6.3. Практическая реализация квантовых компьютеров.
6.4. Перспективные квантовые алгоритмы.
7. Экспериментальные аспекты наноэлектроники.
7.1. Исследование туннельного эффекта на туннельном диоде.
7.2. Исследование характеристик МОП-транзисторов.
7.3. Моделирование работы МОП-транзистора.
7.4. Исследование резонансно-туннельного эффекта.
7.5. Моделирование ионной имплантации.
Библиографический список.

Купить .
Дата публикации:






Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-03-29 06:21:59