Нанотехнологии в электронике 3.1, Чаплыгин Ю.А., 2016

Нанотехнологии в электронике-3.1, Чаплыгин Ю.А., 2016.
 
Книга представляет собой сборник научных работ сотрудников и выпускников Национального исследовательского университета «МИЭТ» и касается развивающихся направлений нанотехнологий в электронике. Следует отметить, что каждая из статей – это законченный труд научно-исследовательского либо аналитического характера, отражающий современное состояние исследований в обсуждаемых авторами областях. Книга будет полезна специалистам в различных областях микро- и наноэлектроники, а также молодым исследователям – аспирантам и студентам-магистрантам.




Моделирование ультратонких КНИ МДП-транзисторов.
С уменьшением толщины пленки кремния уменьшается подпороговый размах и токи утечки (рис. 1.20). Однако для эффективного подавления коротко канальных эффектов толщина пленки кремния должна быть от 1/3 до 1/4 длины затвора. При толщинах пленки кремния менее 10 нм говорят об ультратонких транзисторах. Подвижность в таких транзисторах продолжает падать из-за рассеивания носителей на границе кремний-окисел. Кроме того, при толщинах пленки 5–6 нм движение носителей заряда в канале начинает подчиняться квантово-механическим законам. Растет также разброс порогового напряжения из-за возрастающего влияния флуктуации толщины пленки кремния.

Содержание.
Предисловие.
Теория, Моделирование, Эксперимент.
Материалы, Технологи.
Методы исследований.
Приборы и устройства.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Нанотехнологии в электронике 3.1, Чаплыгин Ю.А., 2016 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: Чаплыгин :: книги по электронике :: нанотехнологии :: электроника