Моделирование 3D наносхемотехники, Трубочкина Н.К., 2020

Моделирование 3D наносхемотехники, Трубочкина Н.К., 2020.

   В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.
Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».




Назначение компонентов транзисторной схемотехники.
Транзисторы. Транзисторы используются для синтеза логических, запоминающих и специальных элементов. Там, где важным критерием является быстродействие, используются биполярные транзисторы n-р-n-типа и n-канальные МОП-транзисторы, так как их основные носители (электроны) обладают большей подвижностью.

Диоды. Диоды (р-n-переходы) обладают «барьерной» функцией. В вольт-амперной характеристике этого компонента есть участок, где выходная функция (напряжение) на диоде не изменяется при изменении аргумента (тока). Именно это свойство делает данный компонент основным при синтезе двоичных схем (схем, работающих в двоичной логике).

Резисторы. Резисторы — компоненты, используемые для ограничения рабочих токов интегральной структуры. В транзисторной схемотехнике они являются дискретными компонентами, требующими изоляции. Это порождает лишние паразитные емкости, снижающие быстродействие схемы.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие автора.
Введение.
Глава 1. Основные этапы развития элементной базы ЭВМ.
Глава 2. Обзор и анализ состояния элементной базы для наноиндустрии. Перспективы развития.
Глава 3. Переходная 3D наносхемотехника — новая компонентная концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем.
Глава 4. Теоретические основы переходной схемотехники.
Глава 5. Элементы переходной схемотехники.
Глава 6. Система простейших логических элементов.
Глава 7. Переходная схемотехника. Синтез математических моделей.
Глава 8. Реализация функции И–НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках.
Глава 9. Реализация функции ИЛИ–НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках.
Глава 10. Транзисторная и переходная МОП-схемотехники.
Глава 11. Транзисторная и переходная КМОП-схемотехники.
Глава 12. Транзисторная и переходная БиМОП-схемотехники.
Глава 13. Методика проектирования СБИС в переходной схемотехнике.
Глава 14. Триггерные схемы.
Глава 15. Последовательностные цифровые функциональные устройства ЭВМ.
Глава 17. Счетчики.
Глава 18. Генераторы чисел.
Глава 19. Комбинационные схемы устройств.
Глава 20. Схемотехника матриц. Матричное проектирование.
Глава 21. Автоматизация этапов проектирования СБИС в переходной схемотехнике.
Глава 22. Система математических моделей и наноструктур логических элементов и элементов памяти переходной схемотехники различной размерности для полупроводниковой наноэлектроники.
Глава 23. Сравнительный анализ транзисторной и переходной полупроводниковых схемотехник.
Глава 24. Наноструктуры и их модели. Четыре типа переходной схемотехники.
Заключение.
Литература.

Купить .





Теги: учебник по информатике :: информатика :: компьютеры :: Трубочкина :: наносхемотехника