В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследовании, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в объеме и на поверхности полупроводников, в изучении электронных и структурных свойств полупроводников. Освещены современное состояние и перспективы развития исследований по материаловедению полупроводников, фотоэлектронике и метрической электронике, определяющие новые пути в современном полупроводниковом приборостроении. Рассмотрены вопросы некогерентной оптоэлектроники как нового научно-технического направления. Показана важная роль фундаментальных физических исследований в создании научных основ полупроводниковой электроники. Для специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей.
![Физические основы полупроводниковой электроники, Снитко О.В., 1985 Физические основы полупроводниковой электроники, Снитко О.В., 1985](/img/knigi/fizika/1504/150489.jpg)