Лабораторный практикум «Инжекционный лазер», Величанский В.Л., Егоров В.К., 2008.
Пособие содержит описание учебной лабораторной работы по измерению важнейших характеристик инжекционных лазеров ближнего ИК и видимого диапазонов на основе гетероструктур из полупроводников класса A'"BV.
Описанию работы предшествует теоретическое введение, нужное для первоначального ознакомления студентов с основными физико-техническими принципами работы инжекционных лазеров. Приведен краткий обзор современных структур, описаны их важнейшие параметры и методы их измерения.
Пособие предназначено для студентов инженерно-физических специальностей старших курсов, в первую очередь для специальности «Лазерная физика». Работа входит в лабораторный практикум по курсу «Лазерная физика» для студентов 4-го курса.
Пособие подготовлено в рамках Инновационной образовательной программы
Измерение диаграммы направленности в дальней зоне.Внимание! Лазерный диод установлен так, что плоскость пере-хода расположена вертикально. Поэтому диаграмма направленности в горизонтальной плоскости отображает толщину излучающего волновода, а диаграмма направленности в вертикальной
плоскости – ширину волновода в плоскости перехода.
1. Установить фотодиод как можно ближе к лазеру со стороны
фронтального зеркала.
2. Установить ток инжекции таким, чтобы выходная мощность
излучения с фронтального зеркала была как можно ближе к 1 мВт
(если преподаватель не укажет иной режим измерений).
3. Не меняя ток инжекции, отодвинуть фотодиод от лазера на
рекомендованное преподавателем расстояние.
4. Ввести в ток лазера вспомогательную ВЧ составляющую так,
чтобы на осциллограмме был хорошо виден сигнал ВЧ, но средняя
мощность излучения заметно не изменилась; при этом лазер будет
работать на линейном участке ватт-амперной характеристики.
5. Получить диаграмму направленности излучения, наблюдая
зависимость амплитуды сигнала ВЧ от координат фотодиода. Для
этого использовать синхронное детектирование на частоте модуляции тока.
