Рассмотрены физические явления, на которых основаны полупроводниковые лазеры. Обсуждаются их приборные характеристики и особенности, связанные с использованием квантоворазмерной активной области. Затронуты технологические аспекты эпитаксиального синтеза полупроводниковых гетероструктур и изготовления лазерных диодов различных типов. Представлены наиболее значимые экспериментальные данные. Издание адресовано студентам магистратуры и аспирантам, чье направление подготовки связано с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами и наноструктурами.








